Russian
English
Chinese-
-
160
08.05.2019 16:18:56 - Распечатать
Получен патент РФ № 188630 на полезную модель «Установка для определения ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диодов» соавторов Ким Дин Чер (RU), Лаврова Фрументия Фрументьевича, Семенова Александра Сергеевича, Татаринова Павла Семеновича.
Полезная модель относится к измерительной технике и учебно-научному лабораторному оборудованию в области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводниковых материалов различного состава и изучения квантово-механических физических процессов, лежащих в термогенерации электронно-дырочных пар в примесных полупроводниках диодов. Установка может быть использована для проведения учебно-научных лабораторных работ.
Задача, на решение которой направлено заявленное техническое решение, выражается в обеспечении эргономических показателей при работе с установкой, а именно, в создании простого и надежного устройства лабораторной установки для изучения явления термогенерации электронно-дырочных пар.
Технический эффект, получаемый при решении поставленной задачи, выражается в создании компактной установки в виде автономного модульного блока для измерения ширины запрещенной зоны по температурной зависимости обратного тока диодов, обеспечивающего получение хорошо воспроизводимых экспериментальных результатов.
Конструктивная простота собранного устройства является залогом его и надежности в работе. Использование встроенных милливольтметров освобождает зависимость устройства от внешних измерительных приборов, обеспечивая ему полную автономность. Отсутствие в составе устройства редких и сложных для изготовления частей делает его себестоимость небольшим, не снижая при этом потребительские качества. Небольшая масса термостата прибора приводит к сокращению времени рутинных измерений и снижению энергопотребления нагревательного элемента и прибора в целом. Все это делает прибор наиболее перспективным для его использования в учебном процессе учебных заведений.
Полезная модель относится к измерительной технике и учебно-научному лабораторному оборудованию в области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводниковых материалов различного состава и изучения квантово-механических физических процессов, лежащих в термогенерации электронно-дырочных пар в примесных полупроводниках диодов. Установка может быть использована для проведения учебно-научных лабораторных работ.
Задача, на решение которой направлено заявленное техническое решение, выражается в обеспечении эргономических показателей при работе с установкой, а именно, в создании простого и надежного устройства лабораторной установки для изучения явления термогенерации электронно-дырочных пар.
Технический эффект, получаемый при решении поставленной задачи, выражается в создании компактной установки в виде автономного модульного блока для измерения ширины запрещенной зоны по температурной зависимости обратного тока диодов, обеспечивающего получение хорошо воспроизводимых экспериментальных результатов.
Конструктивная простота собранного устройства является залогом его и надежности в работе. Использование встроенных милливольтметров освобождает зависимость устройства от внешних измерительных приборов, обеспечивая ему полную автономность. Отсутствие в составе устройства редких и сложных для изготовления частей делает его себестоимость небольшим, не снижая при этом потребительские качества. Небольшая масса термостата прибора приводит к сокращению времени рутинных измерений и снижению энергопотребления нагревательного элемента и прибора в целом. Все это делает прибор наиболее перспективным для его использования в учебном процессе учебных заведений.